“硅襯底AlGaN基近紫外大功率LED”項目簡介
項目負(fù)責(zé)人孫錢，2009年獲得美國耶魯大學(xué)博士學(xué)位，中科院蘇州納米所研究員、博導(dǎo)、器件部副主任，國家技術(shù)發(fā)明一等獎獲得者，國家優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者，中組部首批國家“青年千人計劃”，科技部高新司“第三代半導(dǎo)體材料”項目總體專家組成員。長期從事硅襯底GaN材料生長與LED、激光器、及電力電子器件等制備研究，主持或參與承擔(dān)了科技部863計劃課題、工信部電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金項目、自然科學(xué)重點基金課題、江蘇省科技成果轉(zhuǎn)化專項等。本項目擬深入研究低成本硅襯底AlGaN基近紫外大功率LED異質(zhì)外延生長中的應(yīng)力調(diào)控與缺陷控制、近紫外多量子阱中的應(yīng)力與缺陷及局域態(tài)對內(nèi)量子效率的影響、以及垂直結(jié)構(gòu)芯片中的電流擴(kuò)展與取光效率等關(guān)鍵科學(xué)問題，通過本項目的實施，可以將硅襯底AlGaN基紫外LED的整套技術(shù)通過晶能光電（江西）和江西晶瑞光電快速實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，幫助合作企業(yè)進(jìn)一步完善硅襯底LED產(chǎn)品系列，提升企業(yè)產(chǎn)品競爭力和盈利能力，并在三年內(nèi)實現(xiàn)累計新增3000萬元以上的經(jīng)濟(jì)銷售效益，發(fā)表文章四篇，申請發(fā)明專利3項。